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NTGD3148N
400
4.5
350
300
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
3.5
QT
250
3
2.5
200
2
Q 1
Q 2
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100
50
0
C oss
C rss
1.5
1
0.5
0
I D = 3.5 A
T J = 25 ° C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
1
2
3
4
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-To-Source and
Drain-To-Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 10 V
I D = 3.5 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
3
2.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
2
1.5
t d(on)
1
0.5
1
t f
0
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
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